Light emitting semiconductor device and fabrication thereof

半導体発光装置とその製造方法

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエットエッチングのみでリッジの形成を行 うことができるようにし、しかもそのエッチング途中で の形状観察による確認を回避できるようにして、作業性 の向上、ひいては量産性の向上、コストの低減化をはか る。 【解決手段】 基板1上に、少なくとも第1導電型のク ラッド層4と、活性層5と、第2導電型のAlGaIn P系の第1クラッド層6と、P(りん)を含む化合物半 導体よりなる第1のエッチングストップ層7Aと、第2 導電型のAlGaInP系の第2クラッド層8と、P (りん)を含まない化合物半導体による第2のエッチン グストップ層7Bと、第2導電型のP(りん)を含むコ ンタクト層9とが形成され、ストライプ状の電流通路を 挟んでその両側に溝13が上記第1のエッチングストッ プ層7Aに至る深さに形成され、この溝13に電流狭窄 層14が埋め込まれてなる構成とする。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting semiconductor device which can improve its efficiency and mass productivity and can reduce its cost, by enabling ridges of the semiconductor to be formed only by wet etching and while enabling avoidance of the need for observation and confirmation of their resulted ridge shapes in the course of etching. SOLUTION: Sequentially formed on a substrate 1 are at least a clad layer 4 of a first conduction type, an activation layer 5, a first clad layer 6 of a second conduction type made of AlGaInP material, a first etching stop layer 7A of a composition semiconductor containing phosphorus (P), a second clad layer 8 of a second conduction type made of AlGaInP material, a second etching stop layer 7B of a composition semiconductor not containing phosphorus (P), and a contact layer 9 of the second conduction type containing phosphorus (P), thereby forming the semiconductor device. In this case, grooves 13 are made as to hold a strip-shaped electric path therebetween in the laminate down to such a depth as to reach the first etching stop layer 7A, and current-path narrowing layers 14 are embedded into the grooves 14. COPYRIGHT: (C)1997,JPO

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