Photolithography method

フォトリソグラフィ方法

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photolithography method which is capable of displaying an anti-reflection effect to exposure light of various wavelengths and where an anti-reflection film manufacturing process is easily controlled. SOLUTION: A metal and/or silicide layer 114 of high reflectance is formed on an insulating layer 112 on a substrate 110. A chrome oxide layer 116 of chrome oxide and chromic oxide is formed on the layer 114. When a photoresist layer 118 is formed on the chrome oxide layer 116, the chrome oxide layer 116 is made to serve as an anti-reflection layer, whereby light emitted from an exposure light source 120 penetrates less into the photoresist layer 118 after it is reflected from the metal and/or silicide layer 114. By this setup, standing waves and surface irregularities are less generated. COPYRIGHT: (C)1997,JPO
(57)【要約】 【課題】 様々な露光波長に対して抗反射効果を発揮す ることができ、抗反射膜厚製造の工程制御が容易なフォ トリソグラフィ方法を提供する。 【解決手段】 基板110には、絶縁層112上に高反 射率を有する金属および/またはシリサイド層114が 形成されている。この金属および/またはシリサイド層 114上に、酸化クロムおよび亜酸化クロムからなる酸 化クロム層116を形成する。この酸化クロム層116 上にフォトレジスト層118を形成すると、酸化クロム 層116が抗反射層として機能することにより、露光光 源120からの光のうち金属および/またはシリサイド 層114に反射されてフォトレジスト層118に侵入す る光量が減少する。これにより、定在波および表面起伏 の発生を減少し得る。

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